苏州卡斯图电子有限公司自主研发的无损红外透视显微技术，广泛交付于半导体（Semiconductor）领域公司、平板显示（FPD）公司、科研单位、高校及第三方实验室、军工企业。

该技术方案得益于精密光学设计、纳米级加工的集成式光学系统，兼容于常规金相显微镜（2寸-12寸）、常规体视显微镜（伽利略型及格林诺夫型）、常规工具显微镜、常规影像测量仪、超景深显微镜、大型龙门工业显微镜（MAX120寸）。技术方案可采用结构光、近红外波段、中远红外波段、太赫兹波段穿透芯片、显示面板表层封装的非金属化合物，对客户产品进行无损检查。其微米/纳米级物体内部无损检测技术在VECSEL器件、薄膜型黏晶材料穿透、全复消色差红外检测、可见光/红外对位检测等应用。

MIR200红外显微镜——硅基无损红外透视显微解决方案

第一代半导体（硅基）

第一代半导体是单质材料，因此也被称为“元素半导体”。世界上第一只晶体管是由锗（Ge）生产出来的，但锗的非必要能耗与器件耗损，以及储量和价格，相较硅来说不具优势。硅（包括硅基）器件占到了全球销售的一代半导体产品95%以上。

国内前三晶圆代工厂，12寸晶圆无损穿透案例：

MIR200红外显微镜——硅基无损红外透视显微解决方案

MIR全系列工业显微镜,2寸/4寸/6寸/8寸/12寸，能够穿透样品表面，进行无损观察检测，检测效果好、速度快，大幅提升了客户效率。本系列显微镜可根据客户要求定制滤片、镜头、相机、平台，可搭配自动传动设备。

单击点开视频：MIR200高速红外透视检测  20FPS

MIR200红外显微镜——硅基无损红外透视显微解决方案

第一代半导体（硅基）

薄膜型黏晶材料主要应用于堆叠式晶片级封装体（Stacked Chip Scale Package,SCSP）中，对于两种黏晶材料DAF(Die Attach Film)与FOW(Film Over Wire)，公司红外穿透显微镜结合特殊观察方式，能够轻松穿透两种黏晶材料。

国内早期LED制造企业之一，6寸晶圆无损穿透硅片背面及DAF膜案例：

第一代半导体（硅基）图片赏析

已交付近50家国内客户用于硅（硅基）产品，以下为MIR200近红外显微镜拍摄效果图片。

第一代半导体（硅基）图片赏析

已交付近50家国内客户用于硅（硅基）产品，以下为MIR200近红外显微镜拍摄效果图片。

MIR200红外显微镜——硅基无损红外透视显微解决方案

国内航空航天军工企业，红外双目对位检测案例：

封装芯片,晶圆级CSP/SIP的非破坏检查,倒装芯片封装的不良状况无损分析,透过硅观察IC芯片内部

IR近红外线显微镜,可以对SiP（System in Package）,三维组装,CSP（Chip Size Package）等用可视观察无法看到的领域进行无损检查和分析

正置红外显微镜,专用红外硅片检测显微镜,硅衬底的CSP观察

Vcsel芯片隐裂（cracks),InGaAs瑕疵红外无损检测,LED LD芯片出光面积测量,Chipping(chip crack)失效分析,封装芯片的内部缺陷，焊点检查,

键合片bumping,FlipChip正反面键合定位标记重合误差无损测量,可以定制开发软件模块快速自动测量重合误差,硅基半导体Wafer,碲化镉CdTe ,碲镉汞HgCdTe等化合物衬底无损红外检测,太阳能电池组件综合缺陷红外检测,LCD RGB像元面积测量

IR显微镜可用于透过硅材料成像,倒装芯片封装的不良状况无损分析,通过红外显微镜对硅片穿透可观察晶体生长过程中的位错,隐裂痕,芯片划片封装的不良状况无损分析,封装后的焊接部分检查,可直接穿透厚度不超过600μm的硅片,观察IC芯片内部,观察内部线路断裂,崩边,崩裂,溢出等,也应用于包括产品晶圆生产内部缺陷检查,短断路检查,键合对准（薄键合电路）